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Rektifizierdiodemodule

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MD600-A, Diodenmodule

MD600-A, Diodenmodule

MD600-A, Diodenmodule

Diodenmodule, MDx600-08-417F2, MDx600-10-417F2, MDx600-12-417F2, MDx600-14-417F2, MDx600-16-417F2, MDx600-18-417F2

Brand:

TECHSEM

Spu:

MD600-A

Appurtenance:

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Einführung
Gliederung
Äquivalentschaltbild

Einführung

Merkmale

Isolierte Montagesockel 3000V~
Druckkontakttechnologie mit erhöhter Leistungswechselzyklusfähigkeit
Platz- und Gewichtseinsparung

Typische Anwendungen

Verschiedene Gleichrichter
DC-Versorgung für PWM-Wechselrichter

VRSM	VRRM	Typ & Umriss
900V	800V	MDx600-08-417F2
1100V	1000V	MDx600-10-417F2
1300V	1200V	MDx600-12-417F2
1500V	1400V	MDx600-14-417F2
mit einer Leistung von	1600V	MDx600-16-417F2
1900V	1800V	MDx600-18-417F2

Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen	Tj( ℃ )	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen	Tj( ℃ )	Min	TYP	Max	Einheit
IF(AV)	Mittlerer Vorwärtsstrom	180° halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, TC=100 ℃	150			600	A
IF (RMS)	RMS-Vorwärtsstrom	180° halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, TC=100 ℃	150			942	A
IRRM	Wiederholender Spitzenstrom	bei VRRM	150			30	mA
IFSM	Überspannungsstrom	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM	150			19.0	kA
I ²t	I ²t für die Schmelzsicherung	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM	150			1805	A ²s*10 ³
VFO	Schwellenspannung		150			0.75	V
rF	Vorwärtssteigungswiderstand		150			0.35	mΩ
VFM	Spitzenvorwärtsspannung	IFM=1500A	25			1.35	V
Rth(j-c)	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Bei 180 ° sinus ^,Einseitig gekühlt pro Chip				0.065	℃ /W
Rth(c-h)	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Bei 180 ° sinus ^,Einseitig gekühlt pro Chip				0.024	℃ /W
VISO	Isolationsspannung	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)		3000			V
FM	Anschlussdrehmoment (M10)				12.0		N·m
FM	Montagedrehmoment (M6)				6.0		N·m
T vj	Junction-Temperatur			-40		150	℃
Tstg	Lagertemperatur			-40		125	℃
Wt	Gewicht				775		g
Gliederung	417F2

Gliederung

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