IDG75X12T2, IGBT discrete, STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

150

75

Een

I CM

Pulsed Verzamelaar Stroom t p beperkt door T vjmax

225

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T vj = 175 o C

852

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

75

Een

I Fm

Pulsed Verzamelaar Stroom t p beperkt door T vjmax

225

Een

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +175

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot +150

o C

T S

Soldeertemperatuur, 1.6mm v an behuizing voor 10s

260

o C

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =75A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.75

2.20

V

I C =75A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.10

I C =75A,V GE =15V, T vj = 175 o C

2.20

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =3.00 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

250

μA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

100

nA

R Gint

Interne poortweerstand

2.0

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

6.58

nF

C oes

Uitgangscondensator

0.40

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.19

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =25 o C

41

n

t r

Opstijgtijd

135

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

87

n

t f

Ouderdom

255

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

12.5

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

3.6

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =150 o C

46

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

164

n

t f

Ouderdom

354

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

17.6

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

6.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj = 175 o C

46

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

167

n

t f

Ouderdom

372

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

18.7

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

6.7

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =75A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.75

2.20

V

I F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.75

I F =75A,V GE =0V,T vj =17 5o C

1.75

trr

Diode omgekeerd Hersteltijd

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj =25 o C

267

n

Q r

Teruggevorderde heffing

4.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

22

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.1

mJ

trr

Diode omgekeerd Hersteltijd

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj =150 o C

432

n

Q r

Teruggevorderde heffing

9.80

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

33

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

2.7

mJ

trr

Diode omgekeerd Hersteltijd

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj = 175 o C

466

n

Q r

Teruggevorderde heffing

11.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

35

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

3.1

mJ

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.176 0.371

K/W

R thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W